各有關(guān)單位：
國家自然科學(xué)基金委員會(huì )近日發(fā)布了三項指南引導類(lèi)原創(chuàng )探索項目指南，具體如下：
一、集成電路關(guān)鍵材料前沿探索
本項目面向集成電路用關(guān)鍵材料，通過(guò)材料、化學(xué)、物理和信息等多學(xué)科的深度交叉融合，針對集成電路制造過(guò)程中涉及到的關(guān)鍵金屬材料、無(wú)機非金屬材料及有機高分子材料，探索材料制備與應用的新原理、新方法與新技術(shù)，推動(dòng)原始創(chuàng )新，為突破集成電路材料領(lǐng)域的“卡脖子”難題提供基礎支撐，服務(wù)國家重大戰略需求，引領(lǐng)國際科技前沿。資助方向如下：
（一）極紫外高分子光刻膠。
（二）本征型層間互連封裝光刻膠。
（三）集成電路用高分子復合材料界面微結構演變與失效機理研究。
（四）柔性集成電路載板的材料設計與性能調控。
（五）面向非硅CMOS器件的新型溝道材料。
（六）面向后摩爾時(shí)代低能耗器件的晶體柵介質(zhì)材料。
（七）面向高集成度電光調制器的納米光子材料。
（八）面向高密度三維堆疊存儲陣列應用的鐵電材料。
（九）晶圓級Sn-Ag微凸點(diǎn)互連材料。
（十）極限制程封裝電接觸材料精準構筑及電子結構調制。
本項目資助期限為3年，計劃資助8-10項，平均資助強度200萬(wàn)元/項。預申請提交時(shí)間為2023年11月24日－11月26日16:00時(shí)。
具體詳情參見(jiàn)基金委網(wǎng)站：
https://www.nsfc.gov.cn/publish/portal0/tab434/info90825.htm
二、復雜惡劣條件下水電工程智能建設新理論新方法
本項目聚焦復雜惡劣條件下巨型水電工程建設難點(diǎn)和挑戰，在超深厚覆蓋層堆石壩面板混凝土澆筑振搗質(zhì)量控制、面板韌性與結構性態(tài)演化、深埋超大規模地下廠(chǎng)房洞室群開(kāi)挖鉆爆等方面，開(kāi)展智能感知、精準分析模擬、智能饋控研究，建立水電工程智能建設創(chuàng )新理論與方法。資助方向如下：
（一）復雜惡劣條件下堆石壩面板混凝土振搗探測智能感知。
（二）超深厚覆蓋層堆石壩混凝土面板韌性時(shí)變分析。
（三）深埋超大規模地下廠(chǎng)房洞室群復雜巖體智能鉆爆。
本原創(chuàng )項目資助期限為3年，計劃資助3項，平均資助強度200萬(wàn)元/項。預申請提交時(shí)間為2023年11月24日－11月26日16:00時(shí)。
具體詳情參見(jiàn)基金委網(wǎng)站：
https://www.nsfc.gov.cn/publish/portal0/tab434/info90823.htm
三、芯片亞納米級制造前沿探索
本項目圍繞未來(lái)芯片制造面臨的共性基礎科學(xué)問(wèn)題，旨在通過(guò)揭示表界面亞納米級尺度的定域、定量、定勢調控機制，建立亞納米級精度表面與結構的可控加工方法，為發(fā)展原子級制造開(kāi)展先導性探索，支撐新一代芯片制造關(guān)鍵工藝和裝備能力的升級換代。資助方向如下：
（一）芯片制造過(guò)程中的亞納米級去除新原理與新方法。
（二）芯片先進(jìn)制程中的三維亞納米級結構構筑新原理與新方法。
（三）第四代半導體材料的亞納米級制造新原理。
（四）芯片亞納米級制造過(guò)程中的缺陷檢測與修復。
本原創(chuàng )項目資助期限為3年，計劃資助4-5項，平均資助強度200萬(wàn)/項。預申請提交時(shí)間為2023年11月24日－11月26日16:00時(shí)。
具體詳情參見(jiàn)基金委網(wǎng)站：
https://www.nsfc.gov.cn/publish/portal0/tab434/info90822.htm
原創(chuàng )項目從預申請開(kāi)始直到自然科學(xué)基金委作出資助與否決定之前，不計入申請和承擔總數范圍；獲資助后計入申請和承擔總數范圍。請有意申報的老師認真閱讀項目指南，根據要求在規定的時(shí)間內上報有關(guān)材料。
聯(lián)系人：李璐璐
電 話(huà)：63606707
Email： lilulu08@ustc.edu.cn
科研部
2023年11月14日
更多項目申報信息請參見(jiàn)科研部日歷：http://kp2020.ustc.edu.cn/calendar
皖公網(wǎng)安備 34011102001530號