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      基金委通知:“后摩爾時(shí)代新器件基礎研究”重大研究計劃
          

      各有關(guān)單位:

      國家自然科學(xué)基金近期發(fā)布了“后摩爾時(shí)代新器件基礎研究”重大研究計劃項目指南,本重大研究計劃面向芯片自主發(fā)展的國家重大戰略需求,以芯片的基礎問(wèn)題為核心,旨在發(fā)展后摩爾時(shí)代新器件和計算架構,突破芯片算力瓶頸,促進(jìn)我國芯片研究水平的提升,支撐我國在芯片領(lǐng)域的科技創(chuàng )新。

      針對后摩爾時(shí)代芯片技術(shù)的算力瓶頸,本重大研究計劃圍繞以下三個(gè)核心科學(xué)問(wèn)題展開(kāi)研究:(一)CMOS器件能耗邊界及突破機理。(二)突破硅基速度極限的器件機制。(三)超越經(jīng)典馮?諾依曼架構能效的機制。

      2024年度重點(diǎn)資助研究方向如下:

      (一)培育項目。

      圍繞上述科學(xué)問(wèn)題,以總體科學(xué)目標為牽引,擬資助探索性強、選題新穎、前期研究基礎較好的培育項目5項,研究方向包括但不限于以下內容:

      1. 超低功耗器件的理論、材料與集成技術(shù)。

      2. 高速高性能器件的理論、材料與集成技術(shù)。

      3. 高能效計算與存儲架構。

      (二)重點(diǎn)支持項目。

      圍繞核心科學(xué)問(wèn)題,以總體科學(xué)目標為牽引,擬資助前期研究成果積累較好、處于當前前沿熱點(diǎn)、對總體目標有較大貢獻的重點(diǎn)支持項目6項,方向如下:

      1.超低溫下的彈道輸運器件。

      2.高遷移率堆疊溝道圍柵CMOS器件。

      3.高魯棒性的SRAM存算一體架構及其大規模擴展架構研究。

      4.融合不同存儲介質(zhì)的異構存算一體架構研究。

      5.面向科學(xué)計算的高精度模擬計算架構研究。

      6.面向新型計算器件的異構眾核架構設計方法。

      集成項目。

      擬遴選具有重大應用價(jià)值和良好研究基礎的研究方向資助集成項目3項,方向如下:

      1.面向大規模CMOS集成的二維半導體技術(shù)。

      2.RISC-V與存算一體異構融合芯片。

      3.數據驅動(dòng)存算集成計算架構。

      2024年度擬資助培育項目5項,直接費用的平均資助強度約為80萬(wàn)元/項,資助期限為3年;擬資助重點(diǎn)支持項目6項,直接費用的平均資助強度約為300萬(wàn)元/項,資助期限為3年。擬資助集成項目3項,直接費用的平均資助強度約為1500萬(wàn)元/項,資助期限為3年。

      重大研究計劃培育項目和重點(diǎn)支持項目計入高級專(zhuān)業(yè)技術(shù)職務(wù)(職稱(chēng))人員申請和承擔總數2項的范圍,集成項目不計入高級專(zhuān)業(yè)技術(shù)職務(wù)(職稱(chēng))人員申請和承擔總數2項的范圍,本項目申請階段實(shí)行無(wú)紙化申請,科研部受理時(shí)間為2024627日,請有意申報的老師認真閱讀項目指南,根據要求在規定的時(shí)間內上報有關(guān)材料。

      具體詳情參見(jiàn)基金委網(wǎng)站:https://www.nsfc.gov.cn/publish/portal0/tab434/info92645.htm


      聯(lián)系人:李璐璐

      電 話(huà):63606707

      Email:lilulu08@ustc.edu.cn


      科研部    

      2024年5月27日

      更多項目申報信息請參見(jiàn)科研部日歷:http://kp2020.ustc.edu.cn/calendar


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